铜铟硫（硒），铜铟镓硫（硒），铜锌锡硫（硒）多元半导化合物对可见光的吸收系数和光电转换效率高，抗辐射能力强，吸收层材料禁带宽度可调，性能稳定，无毒等优点，是制作薄膜太阳电池的优良材料。传统方法－真空溅射沉积再进行硫化或硒化反应形成薄膜太阳能电池， 在制备过程中很难控制各个元素的蒸发速率和保持衬底温度的稳定，而且由于采用了真空的工艺环节，导致工艺复杂，总成本很高。通过对量子点烧结形成半导体薄是一种新兴的薄膜太阳能电池的制备技术，可以极大简化生产工艺，降低成本制，因此具有非常广泛的应用前景。

我们可根据客户需求，提供不同质量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子点。

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发射峰 & 吸收峰

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