基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯/CVD六方氮化硼异质结
石墨烯/h-BN薄膜的性质：
单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm（p掺杂）SiO2/Si晶片上

尺寸：1cmx1cm; 4片装
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98％
薄膜是连续的，有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有少量多层（双层小于5％）
薄层电阻：430-800Ω/平方

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长，然后转移到SiO2/Si晶片上。

硅/二氧化硅晶圆的特性：
氧化层厚度：285nm
颜色：紫罗兰色
晶圆厚度：525微米
电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂：P /硼
方向：<100>
前表面：抛光
背面：蚀刻