硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%
低维材料最新层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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| 库存 | 20 片 |
|---|---|
| 品牌 | HQGraphene |
| 产地 | 荷兰 |
| 数量 |
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硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%
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