曼彻斯特大学和诺丁汉大学研究人员研发出的新型硒化铟（InSe）半导体只有几个原子厚，类似于石墨烯。研究成果发表在“自然纳米技术”《Nature Nanotechnology 》上。

       石墨烯只是一个原子厚度，具有无可比拟的电子性能，但没有能隙，导致无法向半导体那样在晶体管上应用。新的研究表明，硒化铟(InSe)晶体可以只有几个原子厚，几乎和石墨烯一样薄。 而且与硅类似，硒化铟(InSe)具有大的能隙，可以方便控制晶体管的开关。同时，硒化铟(InSe)被证明具有超快的电子速度。

Andre Geim是这项研究的作者之一，也是诺贝尔物理学奖获得者，认为新的发现可能对未来电子学的发展产生重大影响。

如果能将硒化铟(InSe)成功沿用到电脑主板、处理器、或应用至导电薄膜，透明柔性电极等电子元器件上，势必将引领下一场电子工业革命，不愧为二维材料领域的又一“重磅炸弹”。

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       同时，经国家标准化管理委员会和中国科学院同意,全国纳米技术标准化技术委员会批准在泰州石墨烯研究检测平台（巨纳旗下）成立低维纳米结构与性能工作组，编号为SAC/TC279/WG9。低维纳米结构与性能工作组主要负责和协调全国低维纳米结构与性能标准化工作，泰州石墨烯研究检测平台有限公司为工作组承担单位。